ДИСК ЖЕСТКИЙ SSD M.2 2280 1TB SAMSUNG MZ-V8V1T0BW

Высокоскоростной твердотельный накопитель в форм-факторе M.2 2280 с интерфейсом PCIe Gen 3.0 x4 и поддержкой протокола NVMe 1.4, предназначенный для установки в персональные компьютеры и ноутбуки. Накопитель использует фирменную флеш-память Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC) и контроллер Samsung Pablo, обеспечивая высокую производительность при чтении до 3500 МБ/с и записи до 3000 МБ/с. Устройство поддерживает технологии Intelligent TurboWrite, TRIM, аппаратное шифрование AES 256-bit и имеет односторонний дизайн толщиной всего 2,38 мм Серия: 980 Объем: 1000 ГБ (1 ТБ) Форм-фактор: M.2 2280 (80 мм длина, 22 мм ширина) Тип разъема: M Key Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 Пропускная способность интерфейса: 8 ГБ/с Тип флеш-памяти: Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC - Triple Level Cell) Контроллер: Samsung Pablo Скорость последовательного чтения: до 3500 МБ/с Скорость последовательной записи: до 3000 МБ/с Скорость случайного чтения (4KB, QD32): до 500000 IOPS Скорость случайной записи (4KB, QD32): до 480000 IOP